casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4982FE,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN4982FE,LF(CT |
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Numero di parte futuro | FT-RN4982FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4982FE,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4982FE,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4982FE,LF(CT-FT |
PBLS6001D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6005D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6021D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6022D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6024D,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-6FGG256I
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
EP1S30F780C7N
Intel
EP2S90F1020C5N
Intel