casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4907FE,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN4907FE,LF(CT |
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Numero di parte futuro | FT-RN4907FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4907FE,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz, 200MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4907FE,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4907FE,LF(CT-FT |
RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
PBLS2003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2022D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2024D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4004D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6001D,115
Nexperia USA Inc.