casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4905FE,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN4905FE,LF(CT |
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Numero di parte futuro | FT-RN4905FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4905FE,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4905FE,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4905FE,LF(CT-FT |
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
PBLS2003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2022D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2024D,115
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4TQG144I
Xilinx Inc.
M2GL050-1FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FI256-2N
Intel
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3SG
Intel
EP3SE110F780C3N
Intel