casa / prodotti / filtri / Induttanze in modalità comune / RN216-2-02-2M2
codice articolo del costruttore | RN216-2-02-2M2 |
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Numero di parte futuro | FT-RN216-2-02-2M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RN |
RN216-2-02-2M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di filtro | Power Line |
Numero di linee | 2 |
Impedenza @ Frequenza | - |
Induttanza @ Frequenza | 2.2mH @ 10kHz |
Corrente nominale (max) | 2A |
Resistenza DC (DCR) (Max) | 66 mOhm (Typ) |
Tensione nominale - CC | - |
Tensione nominale - CA. | 300V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Giudizi | - |
approvazioni | ENEC, UR, VDE |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Dimensione / Dimensione | 0.906" L x 0.610" W (23.00mm x 15.50mm) |
Altezza (max) | 0.996" (25.30mm) |
Pacchetto / caso | Vertical, 4 PC Pin |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN216-2-02-2M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN216-2-02-2M2-FT |
DS1-25-0003
Schurter Inc.
DS1-25-0002
Schurter Inc.
DS1-20-0001
Schurter Inc.
DS1-20-0002
Schurter Inc.
DS1-20-0003
Schurter Inc.
DS1-175-0004
Schurter Inc.
DS1-175-0003
Schurter Inc.
DS1-175-0005
Schurter Inc.
DS1-175-0001
Schurter Inc.
DS1-175-0002
Schurter Inc.
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C6
Intel
EP4SGX530KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF1152C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP4SGX180HF35C4N
Intel