casa / prodotti / filtri / Induttanze in modalità comune / RN216-1-02-10M
codice articolo del costruttore | RN216-1-02-10M |
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Numero di parte futuro | FT-RN216-1-02-10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RN |
RN216-1-02-10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di filtro | Power Line |
Numero di linee | 2 |
Impedenza @ Frequenza | - |
Induttanza @ Frequenza | 10mH @ 10kHz |
Corrente nominale (max) | 1A |
Resistenza DC (DCR) (Max) | 210 mOhm (Typ) |
Tensione nominale - CC | - |
Tensione nominale - CA. | 300V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Giudizi | - |
approvazioni | ENEC, UR, VDE |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Dimensione / Dimensione | 0.906" L x 0.610" W (23.00mm x 15.50mm) |
Altezza (max) | 0.996" (25.30mm) |
Pacchetto / caso | Vertical, 4 PC Pin |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN216-1-02-10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN216-1-02-10M-FT |
DS1-25-0002
Schurter Inc.
DS1-20-0001
Schurter Inc.
DS1-20-0002
Schurter Inc.
DS1-20-0003
Schurter Inc.
DS1-175-0004
Schurter Inc.
DS1-175-0003
Schurter Inc.
DS1-175-0005
Schurter Inc.
DS1-175-0001
Schurter Inc.
DS1-175-0002
Schurter Inc.
DLFP-0147-25D2
Schurter Inc.
EPF10K10TI144-4N
Intel
EPF6010ATC144-1
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQ100
Microsemi Corporation
10M04SAU169I7G
Intel
XC6SLX9-2CSG225I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation