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Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LF(CT

Name: RN1910FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1910FE,LF(CT
Price: 0.03864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (531 reviews)

Numero parte MFG: RN1910FE,LF(CT

quantità disponibile: 51020 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.03864

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RN1910FE,LF(CT.pdf

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RN1910FE,LF(CT specificazioni

codice articolo del costruttore	RN1910FE,LF(CT
Numero di parte futuro	FT-RN1910FE,LF(CT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RN1910FE,LF(CT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1910FE,LF(CT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RN1910FE,LF(CT-FT

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