casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE(TE85L,F)
- Numero parte MFG
- RN1909FE(TE85L,F)
- quantità disponibile
- 26680 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.05208
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RN1909FE(TE85L,F).pdf
RN1909FE(TE85L,F) specificazioni
| codice articolo del costruttore | RN1909FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RN1909FE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RN1909FE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN1909FE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RN1909FE(TE85L,F)-FT |
Come ordinare?
Richiesta di preventivo - Conferma prezzo - Ordine - Pagamento - Spedizione - FattoMetodi di spedizione
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcolo del trasporto: vi preghiamo di contattarci
Come contattare?
La nostra email: [email protected]Modalità di pagamento
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Componenti correlati nella categoria Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
Componenti di vendita caldi
XC7A100T-1FTG256C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
10M08DCF484I7G
Intel
5SGXMA4K1F40C1N
Intel
5SGXMA5N3F45I3LN
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4044XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
10AX032E1F29E1SG
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel