casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1905FE,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN1905FE,LF(CT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN1905FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1905FE,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1905FE,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1905FE,LF(CT-FT |
RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
PBLS2003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2022D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2024D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4004D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6001D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6005D,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel