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Toshiba Semiconductor and Storage RN1426TE85LF

Numero parte MFG
RN1426TE85LF
quantità disponibile
20620 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.0756
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RN1426TE85LF specificazioni

codice articolo del costruttore RN1426TE85LF
Numero di parte futuro FT-RN1426TE85LF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RN1426TE85LF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 300MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1426TE85LF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RN1426TE85LF-FT

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