casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1422TE85LF
codice articolo del costruttore | RN1422TE85LF |
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Numero di parte futuro | FT-RN1422TE85LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1422TE85LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 65 @ 100mA, 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1422TE85LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1422TE85LF-FT |
UNR921BJ0L
Panasonic Electronic Components
UNR921CJ0L
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UNR921FJ0L
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UNR921KJ0L
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UNR921LJ0L
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DTC114YUA-TP
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DTA114EUA-TP
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DTA123JUA-TP
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XC2S50-5TQ144C
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XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
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5SGSMD6K3F40C4N
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XC7VX550T-2FFG1927I
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XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
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EP20K160EQC208-2N
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