casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1104CT(TPL3)
codice articolo del costruttore | RN1104CT(TPL3) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN1104CT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1104CT(TPL3) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 50mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1104CT(TPL3) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1104CT(TPL3)-FT |
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2427TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1415(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1417(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1418(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K60ETC144-3
Intel
XC2S50-5PQG208I
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A1415A-1VQG100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256A7N
Intel
5SGXEA5K2F40I2LN
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A42MX16-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U2F45E1SG
Intel