casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / RMB2S-E3/80
codice articolo del costruttore | RMB2S-E3/80 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RMB2S-E3/80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RMB2S-E3/80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 400mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-269AA (MBS) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMB2S-E3/80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RMB2S-E3/80-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
Texas Instruments
UC2610N
Texas Instruments
UC2610NG4
Texas Instruments
UC3610NG4
Texas Instruments