codice articolo del costruttore | RM 2Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RM 2Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 2Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 2Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM 2Z-FT |
RL102-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-TP
Micro Commercial Co
RL103-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel