codice articolo del costruttore | RM 2Z |
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Numero di parte futuro | FT-RM 2Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 2Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 2Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM 2Z-FT |
RL102-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-TP
Micro Commercial Co
RL103-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel