casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RM 2AV1
codice articolo del costruttore | RM 2AV1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RM 2AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 2AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 2AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM 2AV1-FT |
SJPB-L6VL
Sanken
SJPB-D6VR
Sanken
SJPB-H4VR
Sanken
SJPL-D2VL
Sanken
SJPL-F4VR
Sanken
SJPL-L4VR
Sanken
SJPB-H6VR
Sanken
SJPL-H2VL
Sanken
SJPL-H6VL
Sanken
SJPX-F2VR
Sanken
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel