casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / RM25C128DS-LTAI-B
codice articolo del costruttore | RM25C128DS-LTAI-B |
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Numero di parte futuro | FT-RM25C128DS-LTAI-B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C128DS-LTAI-B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | CBRAM® |
Tecnologia | CBRAM |
Dimensione della memoria | 128kb (64B Page Size) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128DS-LTAI-B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM25C128DS-LTAI-B-FT |
AT45DB021E-SSHN-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHN2B-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHNHA-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHNHC-T
Adesto Technologies
AT45DB041E-SHNHT-B
Adesto Technologies
AT45DB041E-SSHNHA-T
Adesto Technologies
AT45DB041E-SSHNHC-T
Adesto Technologies
AT45DB041E-SSHNHT-T
Adesto Technologies
AT45DB081E-SSHN2B-T
Adesto Technologies
AT45DB081E-SSHNHA-T
Adesto Technologies
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel