casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / RM25C128C-LSNI-T
codice articolo del costruttore | RM25C128C-LSNI-T |
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Numero di parte futuro | FT-RM25C128C-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C128C-LSNI-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | CBRAM® |
Tecnologia | CBRAM |
Dimensione della memoria | 128kb (64B Page Size) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128C-LSNI-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM25C128C-LSNI-T-FT |
RM24C64DS-LSNI-B
Adesto Technologies
RM24C64DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM24EP128A-BSNC-T
Adesto Technologies
RM25C128A-BSNC-B
Adesto Technologies
RM25C128A-BSNC-T
Adesto Technologies
RM25C128DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C256DS-LSNI-B
Adesto Technologies
RM25C256DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C32DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C64DS-LSNI-B
Adesto Technologies
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel