casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RM 10V1
codice articolo del costruttore | RM 10V1 |
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Numero di parte futuro | FT-RM 10V1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 10V1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 10V1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM 10V1-FT |
SJPX-H6VR
Sanken
SJPB-L6VL
Sanken
SJPB-D6VR
Sanken
SJPB-H4VR
Sanken
SJPL-D2VL
Sanken
SJPL-F4VR
Sanken
SJPL-L4VR
Sanken
SJPB-H6VR
Sanken
SJPL-H2VL
Sanken
SJPL-H6VL
Sanken
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel