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codice articolo del costruttore | RLB9012-470KL |
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Numero di parte futuro | FT-RLB9012-470KL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RLB9012 |
RLB9012-470KL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.77A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6.5MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.354" Dia (9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.480" (12.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB9012-470KL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RLB9012-470KL-FT |
SDR0906-103KSCL
Bourns Inc.
SDR0906-152KL
Bourns Inc.
SDR0906-181KL
Bourns Inc.
SDR0906-182KL
Bourns Inc.
SDR0906-222KL
Bourns Inc.
SDR0906-270KL
Bourns Inc.
SDR0906-271KL
Bourns Inc.
SDR0906-272KL
Bourns Inc.
SDR0906-332KL
Bourns Inc.
SDR0906-390KL
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel