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codice articolo del costruttore | RLB9012-3R3ML |
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Numero di parte futuro | FT-RLB9012-3R3ML |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RLB9012 |
RLB9012-3R3ML Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 65MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.354" Dia (9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.480" (12.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB9012-3R3ML Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RLB9012-3R3ML-FT |
SDR0906-681KL
Bourns Inc.
SDR0906-6R8ML
Bourns Inc.
SDR0906-820KL
Bourns Inc.
SDR0906-821KL
Bourns Inc.
SDR0906-8R2ML
Bourns Inc.
SDR0906-822YL
Bourns Inc.
SDR0906-152KB
Bourns Inc.
SDR0703-4R7ML
Bourns Inc.
SDR0703-100KL
Bourns Inc.
SDR0703-102KL
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel