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codice articolo del costruttore | RLB1112V4-472J |
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Numero di parte futuro | FT-RLB1112V4-472J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RLB |
RLB1112V4-472J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7mH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 240mA |
Corrente - Saturazione | 210mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 7.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 252kHz |
Frequenza - Autorisonante | 1.1MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.453" Dia (11.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.532" (13.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1112V4-472J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RLB1112V4-472J-FT |
SDE1006A-120M
Bourns Inc.
SDE1006A-121K
Bourns Inc.
SDE1006A-151K
Bourns Inc.
SDE1006A-180M
Bourns Inc.
SDE1006A-181K
Bourns Inc.
SDE1006A-1R5M
Bourns Inc.
SDE1006A-220M
Bourns Inc.
SDE1006A-221K
Bourns Inc.
SDE1006A-270M
Bourns Inc.
SDE1006A-271K
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel