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codice articolo del costruttore | RL855-181K-RC |
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Numero di parte futuro | FT-RL855-181K-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-181K-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 180µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 620mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 890 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 790kHz |
Frequenza - Autorisonante | 3.5MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.217" (5.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-181K-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL855-181K-RC-FT |
IDCS2512ER1R0M
Vishay Dale
IDCS2512ER1R5M
Vishay Dale
IDCS2512ER220M
Vishay Dale
IDCS2512ER221M
Vishay Dale
IDCS2512ER222M
Vishay Dale
IDCS2512ER2R2M
Vishay Dale
IDCS2512ER330M
Vishay Dale
IDCS2512ER331M
Vishay Dale
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel