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codice articolo del costruttore | RL855-120M-RC |
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Numero di parte futuro | FT-RL855-120M-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-120M-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 16MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.217" (5.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-120M-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL855-120M-RC-FT |
RLB0913-820K
Bourns Inc.
RLB0913-152K
Bourns Inc.
RLB0913-682K
Bourns Inc.
RLB0913-182K
Bourns Inc.
RLB0913-221K
Bourns Inc.
RLB0913-151K
Bourns Inc.
RLB0913-150K
Bourns Inc.
RLB0913-153K
Bourns Inc.
RLB0913-472K
Bourns Inc.
RLB0913-273K
Bourns Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel