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codice articolo del costruttore | RL855-100M-RC |
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Numero di parte futuro | FT-RL855-100M-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-100M-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 20MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.217" (5.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-100M-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL855-100M-RC-FT |
RLB0913-271K
Bourns Inc.
RLB0913-822K
Bourns Inc.
RLB0913-223K
Bourns Inc.
RLB0913-1R5K
Bourns Inc.
RLB0913-122K
Bourns Inc.
RLB0913-680K
Bourns Inc.
RLB0913-270K
Bourns Inc.
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel