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codice articolo del costruttore | RL1218-102-R |
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Numero di parte futuro | FT-RL1218-102-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL1218 |
RL1218-102-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 677mA |
Corrente - Saturazione | 992mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.23 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 1MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 10kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.480" Dia (12.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.709" (18.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL1218-102-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL1218-102-R-FT |
PM518S-6R2-RC
Bourns Inc.
PM518S-820-RC
Bourns Inc.
PM518S-8R9-RC
Bourns Inc.
PM528S-100-RC
Bourns Inc.
PM528S-101-RC
Bourns Inc.
PM528S-120-RC
Bourns Inc.
PM528S-150-RC
Bourns Inc.
PM528S-180-RC
Bourns Inc.
PM528S-220-RC
Bourns Inc.
PM528S-270-RC
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel