casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RL107-TP
codice articolo del costruttore | RL107-TP |
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Numero di parte futuro | FT-RL107-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL107-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 40V |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-405 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL107-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL107-TP-FT |
RJU6052TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6053TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053WDPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJU6054SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6054TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel