casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RL107-N-2-3-AP
codice articolo del costruttore | RL107-N-2-3-AP |
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Numero di parte futuro | FT-RL107-N-2-3-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL107-N-2-3-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial, Radial Bend |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-405 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL107-N-2-3-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL107-N-2-3-AP-FT |
RJU4352TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6052SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6052TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6053TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053WDPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJU6054SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6054TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel