casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RL107-N-0-1-BP
codice articolo del costruttore | RL107-N-0-1-BP |
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Numero di parte futuro | FT-RL107-N-0-1-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RL107-N-0-1-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial, Radial Bend |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-405 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL107-N-0-1-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RL107-N-0-1-BP-FT |
RJS6005TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU3051SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU3051TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU4351SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU4351TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU4352SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU4352TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6052SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6052TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel