casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / RJH60M3DPP-M0#T2
codice articolo del costruttore | RJH60M3DPP-M0#T2 |
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Numero di parte futuro | FT-RJH60M3DPP-M0#T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJH60M3DPP-M0#T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 17A |
Potenza - Max | 39.7W |
Cambiare energia | 290µJ (on), 290µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 60nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 38ns/90ns |
Condizione di test | 300V, 17A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJH60M3DPP-M0#T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJH60M3DPP-M0#T2-FT |
IRG4RC10STRRPBF
Infineon Technologies
IRG4RC10UD
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRG4RC10UTRLPBF
Infineon Technologies
M2GL010TS-1VF400I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-3
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5AGXBA5D4F27I5N
Intel
EP4SGX530KH40I4N
Intel
LFXP15C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX65CU17I5N
Intel
EP2AGZ300FF35I3N
Intel