casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RHRP8120-F102
codice articolo del costruttore | RHRP8120-F102 |
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Numero di parte futuro | FT-RHRP8120-F102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RHRP8120-F102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 70ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RHRP8120-F102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RHRP8120-F102-FT |
CD214A-B120R
Bourns Inc.
CD214A-B140LR
Bourns Inc.
CD214A-B140R
Bourns Inc.
CD214A-B220LR
Bourns Inc.
CD214A-B220R
Bourns Inc.
CD214A-B240LR
Bourns Inc.
CD214A-B240R
Bourns Inc.
CD214A-B260R
Bourns Inc.
CD214A-B320LR
Bourns Inc.
CD214A-B320R
Bourns Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
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Intel