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Rohm Semiconductor RGT8NS65DGTL
- Numero parte MFG
- RGT8NS65DGTL
- quantità disponibile
- 87920 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.44856
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descrizione
- - IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RGT8NS65DGTL.pdf
RGT8NS65DGTL specificazioni
| codice articolo del costruttore | RGT8NS65DGTL |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RGT8NS65DGTL |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RGT8NS65DGTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Potenza - Max | 65W |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 13.5nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 17ns/69ns |
| Condizione di test | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LPDS (TO-263S) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RGT8NS65DGTL Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RGT8NS65DGTL-FT |
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