casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / RGT16NS65DGTL
codice articolo del costruttore | RGT16NS65DGTL |
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Numero di parte futuro | FT-RGT16NS65DGTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RGT16NS65DGTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
Potenza - Max | 94W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 21nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 13ns/33ns |
Condizione di test | 400V, 8A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 42ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPDS (TO-263S) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGT16NS65DGTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGT16NS65DGTL-FT |
STGP4M65DF2
STMicroelectronics
STGP6NC60HD
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STGP10NC60KD
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A40MX02-VQG80M
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APA075-TQ144I
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A3P400-2FGG484
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A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC5VLX30-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1HG
Intel