casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGP30BHE3/54
codice articolo del costruttore | RGP30BHE3/54 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RGP30BHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
RGP30BHE3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP30BHE3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGP30BHE3/54-FT |
UG4C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4C-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4C-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4C-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4D-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4D-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5400-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5401/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5402-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel