casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGP15M-E3/54
codice articolo del costruttore | RGP15M-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-RGP15M-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
RGP15M-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP15M-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGP15M-E3/54-FT |
VS-21DQ06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-21DQ06TB
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-21DQ06TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR150
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR150TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR160TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSB2200S-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel