casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGP10ME-E3/73
codice articolo del costruttore | RGP10ME-E3/73 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RGP10ME-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
RGP10ME-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10ME-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGP10ME-E3/73-FT |
RGP10B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10B-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10B-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel