casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGP10J-E3/73
codice articolo del costruttore | RGP10J-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-RGP10J-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
RGP10J-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10J-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGP10J-E3/73-FT |
U2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2C-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation