casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGP10G-E3/73
codice articolo del costruttore | RGP10G-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-RGP10G-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
RGP10G-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10G-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGP10G-E3/73-FT |
U2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel