casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGP02-18EHE3/73
codice articolo del costruttore | RGP02-18EHE3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-RGP02-18EHE3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
RGP02-18EHE3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP02-18EHE3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGP02-18EHE3/73-FT |
GP10Q-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10Q-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10Q-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10QHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10QHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10QHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10QHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10T-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10T-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10T-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation