casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RGL41MHE3_A/I
codice articolo del costruttore | RGL41MHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-RGL41MHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGL41MHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGL41MHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RGL41MHE3_A/I-FT |
JANTXV1N6642UB2
Microsemi Corporation
D1031SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1131SH65TXPSA1
Infineon Technologies
D1251S45TXPSA1
Infineon Technologies
D1301SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1331SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1381S45TXPSA1
Infineon Technologies
D1461S45TXPSA1
Infineon Technologies
D1481N58T
Infineon Technologies
D1481N65TVFXPSA1
Infineon Technologies
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel