codice articolo del costruttore | RG 2 |
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Numero di parte futuro | FT-RG 2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 2-FT |
R9G20815ASOO
Powerex Inc.
R9G21009ASOO
Powerex Inc.
R9G21009CSOO
Powerex Inc.
R9G21011ASOO
Powerex Inc.
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
R9G21012CSOO
Powerex Inc.
R9G21209ASOO
Powerex Inc.
R9G21209CSOO
Powerex Inc.
R9G21211ASOO
Powerex Inc.
R9G21211CSOO
Powerex Inc.
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel