codice articolo del costruttore | RG 2V |
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Numero di parte futuro | FT-RG 2V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 2V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 2V-FT |
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
R9G21012CSOO
Powerex Inc.
R9G21209ASOO
Powerex Inc.
R9G21209CSOO
Powerex Inc.
R9G21211ASOO
Powerex Inc.
R9G21211CSOO
Powerex Inc.
R9G21212CSOO
Powerex Inc.
R9G21409ASOO
Powerex Inc.
R9G21411ASOO
Powerex Inc.
R9G21412CSOO
Powerex Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel