casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RG 2AV1
codice articolo del costruttore | RG 2AV1 |
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Numero di parte futuro | FT-RG 2AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 2AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 2AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 2AV1-FT |
R9G21011ASOO
Powerex Inc.
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
R9G21012CSOO
Powerex Inc.
R9G21209ASOO
Powerex Inc.
R9G21209CSOO
Powerex Inc.
R9G21211ASOO
Powerex Inc.
R9G21211CSOO
Powerex Inc.
R9G21212CSOO
Powerex Inc.
R9G21409ASOO
Powerex Inc.
R9G21411ASOO
Powerex Inc.
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel