codice articolo del costruttore | RG 10 |
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Numero di parte futuro | FT-RG 10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 10-FT |
R9G20611CSOO
Powerex Inc.
R9G20612CSOO
Powerex Inc.
R9G20615ASOO
Powerex Inc.
R9G20809ASOO
Powerex Inc.
R9G20809CSOO
Powerex Inc.
R9G20811ASOO
Powerex Inc.
R9G20811CSOO
Powerex Inc.
R9G20812CSOO
Powerex Inc.
R9G20815ASOO
Powerex Inc.
R9G21009ASOO
Powerex Inc.
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation