codice articolo del costruttore | RG 10V |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RG 10V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 10V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 10V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 10V-FT |
R9G20809CSOO
Powerex Inc.
R9G20811ASOO
Powerex Inc.
R9G20811CSOO
Powerex Inc.
R9G20812CSOO
Powerex Inc.
R9G20815ASOO
Powerex Inc.
R9G21009ASOO
Powerex Inc.
R9G21009CSOO
Powerex Inc.
R9G21011ASOO
Powerex Inc.
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
R9G21012CSOO
Powerex Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel