casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RG 10AV
codice articolo del costruttore | RG 10AV |
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Numero di parte futuro | FT-RG 10AV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 10AV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 10AV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 10AV-FT |
R9G20615ASOO
Powerex Inc.
R9G20809ASOO
Powerex Inc.
R9G20809CSOO
Powerex Inc.
R9G20811ASOO
Powerex Inc.
R9G20811CSOO
Powerex Inc.
R9G20812CSOO
Powerex Inc.
R9G20815ASOO
Powerex Inc.
R9G21009ASOO
Powerex Inc.
R9G21009CSOO
Powerex Inc.
R9G21011ASOO
Powerex Inc.
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel