casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RG 10AV1
codice articolo del costruttore | RG 10AV1 |
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Numero di parte futuro | FT-RG 10AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 10AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 10AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RG 10AV1-FT |
R9G20809ASOO
Powerex Inc.
R9G20809CSOO
Powerex Inc.
R9G20811ASOO
Powerex Inc.
R9G20811CSOO
Powerex Inc.
R9G20812CSOO
Powerex Inc.
R9G20815ASOO
Powerex Inc.
R9G21009ASOO
Powerex Inc.
R9G21009CSOO
Powerex Inc.
R9G21011ASOO
Powerex Inc.
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel