casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RFN6BM2DFHTL
codice articolo del costruttore | RFN6BM2DFHTL |
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Numero di parte futuro | FT-RFN6BM2DFHTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RFN6BM2DFHTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFN6BM2DFHTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFN6BM2DFHTL-FT |
FMN-4306S
Sanken
FMD-4206S
Sanken
SCS220AE2HRC
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SCS210KE2HRC
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A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
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XC7S50-1FGGA484C
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XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
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XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
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EP4SGX230DF29C3NES
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