casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RFN20TJ6SGC9
codice articolo del costruttore | RFN20TJ6SGC9 |
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Numero di parte futuro | FT-RFN20TJ6SGC9 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFN20TJ6SGC9 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220ACFP |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFN20TJ6SGC9 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFN20TJ6SGC9-FT |
1PS79SB30,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6002EB,115
Nexperia USA Inc.
RB751S40,115
Nexperia USA Inc.
RB520S30,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3010EB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3002AEB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4002EB,115
Nexperia USA Inc.
1PS79SB31,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel