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ON Semiconductor RFD4N06LSM9A

Numero parte MFG
RFD4N06LSM9A
quantità disponibile
90280 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore RFD4N06LSM9A
Numero di parte futuro FT-RFD4N06LSM9A
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RFD4N06LSM9A Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD4N06LSM9A Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RFD4N06LSM9A-FT

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