casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RFD4N06LSM9A
codice articolo del costruttore | RFD4N06LSM9A |
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Numero di parte futuro | FT-RFD4N06LSM9A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFD4N06LSM9A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFD4N06LSM9A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFD4N06LSM9A-FT |
IRLR7833TRL
Infineon Technologies
IRLR7833TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR7833TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7833TRR
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IRLR7833TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR7843CPBF
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IRLR7843CTRPBF
Infineon Technologies
IRLR7843TR
Infineon Technologies
IRLR7843TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR7843TRRPBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel