casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RFD10P03LSM
codice articolo del costruttore | RFD10P03LSM |
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Numero di parte futuro | FT-RFD10P03LSM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFD10P03LSM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 10A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFD10P03LSM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFD10P03LSM-FT |
IRLR7821TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR7821TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7821TRRPBF
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IRLR7833CPBF
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IRLR7833CTRLPBF
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IRLR7833CTRRPBF
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IRLR7833PBF
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IRLR7833TR
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IRLR7833TRL
Infineon Technologies
IRLR7833TRLPBF
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
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M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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