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codice articolo del costruttore | RF80G331MDN1JT |
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Numero di parte futuro | FT-RF80G331MDN1JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FPCAP, RF8 |
RF80G331MDN1JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Polymer |
Capacità | 330µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 4V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 8 mOhm |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 400mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 4A @ 100kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.079" (2.00mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.354" (9.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF80G331MDN1JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF80G331MDN1JT-FT |
RHS1D391MCN1GS
Nichicon
RUC0D271MLG
Nichicon
RUC0D331MLG
Nichicon
RVA0E221MNG
Nichicon
RVA0G151MNG
Nichicon
RVA0J101MNG
Nichicon
RVA1C270MNG
Nichicon
RVA1C330MNG
Nichicon
RVA1C470MNG
Nichicon
RVA1E150MNG
Nichicon
XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-2X
Intel
XC7VX690T-1FFG1158I
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C3
Intel
EP4CE55F29I7N
Intel
5CGXBC9E7F35C8N
Intel